真空爐
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金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)
金屬有機物化學氣相沉積(簡稱MOCVD)是技術(shù)生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮氣作為載氣,通入液體中攜帶出蒸汽,與V族的氫化物(如NH3、PH3、AsH3)混合,通入反應室,在加熱的襯底表面發(fā)生反應,外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發(fā)光核心是一種稱為外延片(Epitaxial Slice)的復合材料,由于Mocvd技術(shù)在外延片上的成功運用,使得此種設(shè)備使用量迅速增加。
由于MOCVD設(shè)備工作時工作溫度高于2000℃,鎢鉬也是該設(shè)備部分組件的首選材料。
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